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Cristais AgGaSe2 – Bordas de banda em 0,73 e 18 µm

Breve descrição:

Os cristais AGSe2 AgGaSe2(AgGa(1-x)InxSe2) têm bordas de banda em 0,73 e 18 µm. Sua faixa útil de transmissão (0,9–16 µm) e ampla capacidade de correspondência de fase fornecem excelente potencial para aplicações OPO quando bombeado por uma variedade de lasers diferentes.


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Descrição do produto

O ajuste entre 2,5–12 µm foi obtido ao bombear com laser Ho:YLF a 2,05 µm; bem como operação de correspondência de fase não crítica (NCPM) dentro de 1,9–5,5 µm ao bombear a 1,4–1,55 µm. AgGaSe2 (AgGaSe) demonstrou ser um cristal eficiente de duplicação de frequência para radiação infravermelha de lasers de CO2.
Trabalhando em combinação com osciladores paramétricos ópticos bombeados sincronizadamente (SPOPOs) disponíveis comercialmente no regime de femtossegundos e picossegundos, os cristais AgGaSe2 mostraram ser eficazes na conversão descendente paramétrica não linear (geração de frequência de diferença, DGF) na região Mid-IR. O cristal AgGaSe2 não linear de infravermelho médio possui uma das maiores figuras de mérito (70 pm2/V2) entre os cristais comercialmente acessíveis, que é seis vezes mais que o equivalente AGS. AgGaSe2 também é preferível a outros cristais de infravermelho médio por uma série de razões específicas. AgGaSe2, por exemplo, possui menor walk-off espacial e está menos prontamente disponível para ser tratado em aplicações específicas (crescimento e direção de corte, por exemplo), embora possua maior não linearidade e área de transparência equivalente.

Aplicativos

● Geração de segundos harmônicos em CO e CO2 - lasers
● Oscilador paramétrico óptico
● Gerador de frequência diferente para regiões de infravermelho médio até 17 mkm.
● Mistura de frequência na região intermediária do IR

Propriedades Básicas

Estrutura Cristalina Tetragonal
Parâmetros de célula a=5,992Å, c=10,886Å
Ponto de fusão 851ºC
Densidade 5.700g/cm3
Dureza de Mohs 3-3,5
Coeficiente de Absorção <0,05 cm-1 @ 1,064 µm
<0,02 cm-1 @ 10,6 µm
Constante dielétrica relativa
@25MHz
ε11s=10,5
ε11t=12,0
Expansão Térmica
Coeficiente
||C: -8,1 x 10-6 /°C
⊥C: +19,8 x 10-6 /°C
Condutividade Térmica 1,0 W/M/°C

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