Co2+: MgAl2O4 Um novo material para absorvedor saturável Q-switch passivo
Descrição do produto
A seção transversal de alta absorção de 3,5 x 10-19 cm2 permite a comutação Q do laser Er:glass sem foco intracavitário, tanto com lâmpada de flash quanto com bombeamento de laser de diodo. A absorção insignificante no estado excitado resulta em alto contraste do Q-switch, ou seja, a relação entre a absorção inicial (sinal pequeno) e a absorção saturada é superior a 10. Finalmente, excelentes propriedades ópticas, mecânicas e térmicas do cristal dão uma oportunidade para projetar compacto e fontes de laser confiáveis com este Q-switch passivo.
O tamanho do dispositivo é reduzido e uma fonte de energia de alta tensão é removida quando interruptores Q passivos ou absorvedores saturáveis são usados para criar pulsos de laser de alta potência em vez de interruptores Q eletro-ópticos. O cristal forte e resistente conhecido como espinélio dá um ótimo polimento. Sem íons de compensação de carga extra, o cobalto pode facilmente substituir o magnésio no hospedeiro do espinélio. Para bombeamento de laser de diodo e lâmpada de flash, a seção transversal de alta absorção do laser Er:glass (3,510-19 cm2) permite Q-switching sem foco intracavitário.
A potência média de saída seria de 580 mW com uma largura de pulso tão baixa quanto 42 ns e uma potência de bomba absorvida de 11,7 W. A energia de um único pulso Q-switched foi calculada em aproximadamente 14,5 J, e a potência de pico foi de 346 W. a uma taxa de repetição de cerca de 40 kHz. Além disso, vários estados de polarização da ação passiva de comutação Q do Co2+:LMA foram examinados.
Propriedades Básicas
Fórmula | Co2+:MgAl2O4 |
Estrutura Cristalina | Cúbico |
Orientação | |
Superfícies | plano / plano |
Qualidade de superfície | 10-5 SD |
Planicidade da superfície | <ʎ/10 @ 632,8 nm |
Refletividade dos revestimentos AR | <0,2% a 1540 nm |
Limite de dano | >500 MW/cm2 |
Diâmetro | típico: 5–10 mm |
Tolerâncias dimensionais | +0/-0,1 mm |
Transmissão | típico: 0,70,0,80,0,90@1533nm |
Seção transversal de absorção | 3,5×10^-19 cm2 a 1540 nm |
Erro de paralelismo | <10 segundos de arco |
Perpendicularidade | <10 minutos de arco |
Chanfro protetor | <0,1mm x 45° |