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Fotodetector para variação de laser e variação de velocidade
A faixa espectral do material InGaAs é de 900-1700 nm e o ruído de multiplicação é menor que o do material de germânio. Geralmente é usado como região multiplicadora para diodos heteroestruturados. O material é adequado para comunicações de fibra óptica de alta velocidade e os produtos comerciais atingiram velocidades de 10 Gbit/s ou superiores.
Produtos
Si e InGaAs, PIN e APD, comprimento de onda: 400-1100 nm, 900-1700 nm. (Adequado para alcance de laser, medição de velocidade, medição de ângulo, detecção fotoelétrica e sistemas de contramedidas fotoelétricas.)