A faixa espectral do material InGaAs é de 900-1700 nm e o ruído de multiplicação é menor que o do material de germânio. Geralmente é usado como região multiplicadora para diodos heteroestruturados. O material é adequado para comunicações de fibra óptica de alta velocidade e os produtos comerciais atingiram velocidades de 10 Gbit/s ou superiores.