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Revestimento a Vácuo – O Método Existente de Revestimento de Cristal

Breve descrição:

Com o rápido desenvolvimento da indústria eletrônica, os requisitos para a precisão do processamento e a qualidade da superfície dos componentes ópticos de precisão estão cada vez mais altos. Os requisitos de integração de desempenho dos prismas ópticos promovem a forma dos prismas para formas poligonais e irregulares. Portanto, rompendo a tecnologia de processamento tradicional, um design mais engenhoso do fluxo de processamento é muito importante.


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Descrição do produto

O método de revestimento de cristal existente inclui: dividir um cristal grande em cristais médios de áreas iguais, depois empilhar uma pluralidade de cristais médios e unir dois cristais médios adjacentes com cola; Divida novamente em vários grupos de pequenos cristais empilhados em áreas iguais; pegue uma pilha de pequenos cristais e polir os lados periféricos dos múltiplos pequenos cristais para obter pequenos cristais com uma seção transversal circular; Separação; pegar um dos pequenos cristais e aplicar cola protetora nas paredes laterais circunferenciais dos pequenos cristais; revestir os lados frontal e/ou reverso dos pequenos cristais; remoção da cola protetora nas faces circunferenciais dos pequenos cristais para obtenção do produto final.
O método de processamento de revestimento de cristal existente precisa proteger a parede lateral circunferencial do wafer. Para wafers pequenos, é fácil poluir as superfícies superior e inferior ao aplicar cola, e a operação não é fácil. Quando a frente e o verso do cristal são revestidos Após o término, a cola protetora precisa ser removida e as etapas da operação são complicadas.

Métodos

O método de revestimento do cristal compreende:

Ao longo do contorno de corte predefinido, utilizando um laser incidente a partir da superfície superior do substrato para realizar o corte modificado no interior do substrato para obter o primeiro produto intermediário;

Revestir a superfície superior e/ou a superfície inferior do primeiro produto intermediário para obter um segundo produto intermediário;

Ao longo do contorno de corte predefinido, a superfície superior do segundo produto intermediário é traçada e cortada com um laser, e o wafer é dividido, de modo a separar o produto alvo do material restante.


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