Nd:YVO4 – Lasers de estado sólido bombeados por diodo
Descrição do produto
O Nd:YVO4 pode produzir lasers infravermelhos, verdes e azuis potentes e estáveis com o design do Nd:YVO4 e cristais de duplicação de frequência. Para aplicações que exigem um design mais compacto e uma saída de modo longitudinal único, o Nd:YVO4 demonstra suas vantagens específicas em relação a outros cristais de laser comumente utilizados.
Vantagens do Nd:YVO4
● Baixo limiar de laser e alta eficiência de declive
● Grande seção transversal de emissão estimulada no comprimento de onda do laser
● Alta absorção em uma ampla largura de banda de comprimento de onda de bombeamento
● Opticamente uniaxial e de grande birrefringência emite laser polarizado
● Baixa dependência do comprimento de onda de bombeamento e tendência à saída de modo único
Propriedades básicas
| Densidade atômica | ~1,37x1020 átomos/cm2 |
| Estrutura Cristalina | Zircão Tetragonal, grupo espacial D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Densidade | 4,22 g/cm2 |
| Dureza de Mohs | Semelhante a vidro, 4,6 ~ 5 |
| Expansão Térmica Coeficiente | αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K |
| Ponto de fusão | 1810 ± 25℃ |
| Comprimentos de onda do laser | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Óptico Térmico Coeficiente | dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Emissão Estimulada Corte transversal | 25,0x10-19 cm2, @1064 nm |
| Fluorescente Vida | 90 ms (cerca de 50 ms para 2 atm% dopado com Nd) @ 808 nm |
| Coeficiente de absorção | 31,4 cm-1 a 808 nm |
| Comprimento de absorção | 0,32 mm a 808 nm |
| Perda Intrínseca | Menos 0,1% cm-1, @1064 nm |
| Ganhe largura de banda | 0,96 nm (257 GHz) a 1064 nm |
| Laser polarizado Emissão | paralelo ao eixo óptico (eixo c) |
| Diodo bombeado Óptico para Óptico Eficiência | > 60% |
| Equação de Sellmeier (para cristais YVO4 puros) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Parâmetros técnicos
| Concentração de dopante Nd | 0,2 ~ 3 atm% |
| Tolerância a dopantes | dentro de 10% de concentração |
| Comprimento | 0,02 ~ 20 mm |
| Especificação de revestimento | AR @ 1064 nm, R< 0,1% e HT @ 808 nm, T>95% |
| HR @ 1064 nm, R>99,8% e HT @ 808 nm, T>9% | |
| FC a 1064 nm, R>99,8%, FC a 532 nm, R>99% e HT a 808 nm, T>95% | |
| Orientação | direção cristalina de corte a (+/-5℃) |
| Tolerância dimensional | +/-0,1 mm (típico), alta precisão de +/-0,005 mm pode estar disponível mediante solicitação. |
| Distorção da frente de onda | <λ/8 a 633 nm |
| Qualidade da superfície | Melhor que 20/10 Scratch/Dig conforme MIL-O-1380A |
| Paralelismo | < 10 segundos de arco |
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