Nd:YVO4 –Lasers de estado sólido bombeados por diodo
Descrição do produto
Nd:YVO4 pode produzir lasers IR, verdes e azuis poderosos e estáveis com o design de Nd:YVO4 e cristais de duplicação de frequência.Para as aplicações nas quais são necessários um design mais compacto e a saída de modo longitudinal único, o Nd:YVO4 mostra suas vantagens específicas sobre outros cristais de laser comumente usados.
Vantagens do Nd:YVO4
● Baixo limite de laser e alta eficiência de inclinação
● Grande seção transversal de emissão estimulada no comprimento de onda do laser
● Alta absorção em uma ampla largura de banda de comprimento de onda de bombeamento
● Birrefringência opticamente uniaxial e grande emite laser polarizado
● Baixa dependência do comprimento de onda de bombeamento e tendência à saída monomodo
Propriedades Básicas
| Densidade Atômica | ~1,37x1020 átomos/cm2 |
| Estrutura de cristal | Zircão Tetragonal, grupo espacial D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Densidade | 4,22g/cm2 |
| Dureza de Mohs | Semelhante a vidro, 4,6 ~ 5 |
| Expansão térmica Coeficiente | αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K |
| Ponto de fusão | 1810±25℃ |
| Comprimentos de onda de laser | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Óptica Térmica Coeficiente | dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Emissão estimulada Corte transversal | 25,0x10-19 cm2, @1064 nm |
| Fluorescente Vida | 90 ms (cerca de 50 ms para 2 atm% Nd dopado) @808nm |
| Coeficiente de absorção | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Comprimento de absorção | 0,32 mm a 808 nm |
| Perda Intrínseca | Menos 0,1% cm-1, @1064 nm |
| Ganhe largura de banda | 0,96 nm (257 GHz) a 1064 nm |
| Laser Polarizado Emissão | paralelo ao eixo óptico (eixo c) |
| Diodo bombeado Óptico para Óptico Eficiência | > 60% |
| Equação de Sellmeier (para cristais YVO4 puros) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Parâmetros técnicos
| Concentração de dopante Nd | 0,2 ~ 3 atm% |
| Tolerância a dopantes | dentro de 10% da concentração |
| Comprimento | 0,02 ~ 20mm |
| Especificação de revestimento | AR @ 1064 nm, R<0,1% e HT @ 808nm, T>95% |
| HR @ 1064 nm, R > 99,8% e HT @ 808 nm, T > 9% | |
| HR @ 1064 nm, R> 99,8%, HR @ 532 nm, R> 99% e HT @ 808 nm, T> 95% | |
| Orientação | direção cristalina de corte (+/-5 ℃) |
| Tolerância dimensional | +/- 0,1 mm (típico), alta precisão +/- 0,005 mm pode estar disponível mediante solicitação. |
| Distorção de frente de onda | <λ/8 a 633nm |
| Qualidade de superfície | Melhor que 20/10 Scratch/Dig por MIL-O-1380A |
| Paralelismo | <10 segundos de arco |
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